2025 年度の講義概要のデータベースを検索します。カリキュラムツリーへのリンク
学部・研究科
Faculty/Graduate School
時間割コード
Course Code
62489
科目名
Course title
サブテーマ
Subtitle
LSIプロセス工学
授業形態/単位
Term/Credits
クラス
Class
/2
担任者名
Instructor
佐藤 伸吾
曜限
Day/Period
金5
授業概要
Course Description
到達目標
Course Objectives

授業種別 / Teaching Types

講義(対面型)

言語 / Language

日本語(Japanese)

授業概要 / Course Description

本講義ではスマートフォン・デジタルカメラ・USBメモリなど身の回りにある電気製品内で用いられる半導体集積回路の製造技術を説明する。

到達目標 / Course Objectives

半導体製造要素技術・半導体素子製造技術を理解し、半導体集積回路が製造されるまでの製造工程とその製造工程が半導体素子特性に与える影響を推定する能力を習得することを目標とする。

授業手法 / Teaching Methods

・教員による資料等を用いた説明や課題等へのフィードバック
・学生による学習のふりかえり

授業計画
Course Content

授業計画 / Course Content

半導体素子動作を概説した後、半導体製造要素技術と半導体素子製造技術について講義する。全講義の半分程度が終了した時点で中間試験を行う。
第一回~第三回:半導体デバイス構造とLSIプロセス開発の指針
第四回:半導体ウェハの製造方法
第五回~第六回:成膜技術
第七回~第八回:リソグラフィ技術
第九回:エッチングと洗浄
第十回:不純物注入と熱処理
第十一回~第十三回:半導体素子製造技術

授業時間外学習 / Expected work outside of class

授業資料、ノートを読み返し、理解が不十分な箇所に関しては各自参考書を調べるなどして復習をすること。

成績評価の方法・基準・評価
Grading Policies /
Evaluation Criteria

方法 / Grading Policies

定期試験を行わず、到達度の確認(筆記による学力確認)で評価する。
中間試験(50%)と定期試験(50%)で評価予定。履修者数が多数になった場合には、成績評価方法を「定期試験(16週目)」に変更することがあります。
成績評価方法が変更になった場合は、インフォメーションシステム等で連絡します。

基準・評価 / Evaluation Criteria・Assessment Policy

半導体製造技術の理解度を評価する。

教科書
Textbooks

参考書
References

前田  和夫  はじめての半導体プロセス  (現場の即戦力)  技術評論社  4774147494
野尻  一男  はじめての半導体ドライエッチング技術  (現場の即戦力)  技術評論社  4774149403
岡崎  信次,‎  鈴木  章義,‎  上野  巧  はじめての半導体リソグラフィ技術  (現場の即戦力)  技術評論社  477414939X

フィードバックの方法
Feedback Method

担任者への問合せ方法
Instructor Contact

オフィスアワーについて:関大LMS、毎回の授業終了時等に随時受付を行います。

備考
Other Comments

半導体デバイス工学の講義を受講していることが望ましい。